1.一种碳纳米管(CNT)与氧化锌(ZnO)两种半导体材料混合的TFT CMOS逻辑电路，其特征在于，所述CMOS逻辑电路的上管即PMOS为底栅结构，CMOS逻辑电路的下管即NMOS为顶栅结构；PMOS和NMOS TFT连接在CMOS逻辑电路的供电与接地之间；CMOS逻辑电路的输入连接到PMOS和NMOS TFT的栅极，其输出连接到PMOS和NMOS TFT相接的地方；所述的N/PMOS TFT包括栅、源、漏电极，以及有源层和栅氧层；顶栅结构为源漏电极在下，栅极在上；底栅结构相反；二者通过刻蚀通孔连接；所述N/PMOS TFT的栅氧层均为氧化铝，所述NMOS TFT的三个电极均为ITO，所述PMOS TFT的栅电极为ITO，源漏电极为金；所述PMOS TFT的有源层为CNT，所述NMOS TFT的有源层为ZnO。2.根据权利要求1所述的CNT‑ZnO混合TFT CMOS逻辑电路，其特征在于，所述的CNT为单臂半导体性质的碳纳米管，结构上由单层石墨烯卷曲而成，CNT的禁带宽度在0.8‑1.2eV之间，直径分布为1.2‑1.8nm，长度分布为0.8‑3.2um。3.根据权利要求1或2所述的CNT‑ZnO混合TFT CMOS逻辑电路，其特征在于，所述的CMOS逻辑电路可作为反相器，与非门，或非门，振荡器，触发器中任一种器件的基本逻辑单元。4.一种如权利要求1或2所述的CNT‑ZnO混合TFT CMOS逻辑电路的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)将玻璃衬底清洗并干燥；(2)在玻璃衬底上通过磁控溅射沉积ITO；(3)在ITO上刻蚀出电极，该层ITO为NMOS的源漏电极以及PMOS的栅电极；(4)再在上面通过ALD生长ZnO有源层和Al2O3保护层，并刻蚀形成NMOS的有源层；(5)再通过ALD生长Al2O3作为N/PMOS的栅氧层，并刻蚀出通孔，方便测试以及做出顶底栅极结构互联；(6)再次磁控溅射沉积ITO，通过lift‑off工艺做出NMOS的栅电极；(7)通过磁控溅射沉积金，通过lift‑off工艺做出PMOS的源漏电极；(8)在步骤(7)得到的结构上滴涂CNT溶液并静置一天，让溶液中的CNT可以充分的沉积；(9)通过氧等离子体对CNT进行刻蚀，保留PMOS的有源层，即可得到所述逻辑电路。5.根据权利要求4中所述的CNT‑ZnO混合TFT CMOS逻辑电路的制备方法，其特征在于，所述的CNT溶液选用以甲苯为溶剂的半导体性碳纳米管溶液，CNT浓度为10ug/ml，半导体纯度为99.99％。